[发明专利]一种通过二次硫化调节铜锌锡硫薄膜元素配比的制备方法

摘要

本发明涉及一种通过二次硫化热处理改变化学配比的铜锌锡硫（Cu2ZnSnS4）薄膜的制备方法。其特征是采用铜锌锡硫单一靶材磁控溅射铜锌锡硫预制膜，对预制膜进行二次硫化热处理，得到贫铜富锌得优质铜锌锡硫薄膜。对应的带隙由1.42eV变为1.52eV。本方法工艺简单，成本低廉，操作方便，可重复性强，有助于铜锌锡硫吸收层的叠层太阳电池的产业化发展。

主权项

一种通过二次硫化调节铜锌锡硫薄膜元素配比的制备方法，其特征在于采用铜锌锡硫单一靶材进行磁控溅射，其中磁控溅射条件为衬底温度500℃，溅射功率为60W，通入氩气前真空度为7×10‑4Pa；对溅射后的薄膜进行二次硫化热处理，将获得贫铜富锌的铜锌锡硫薄膜，其中所述的二次硫化热处理过程为先进行低温缓慢硫化热处理，再进行第二次高温快速硫化热处理，具体为快速升温至250℃，升温速率为5℃/s，再将温度缓慢升至380℃，升温速率为5℃/min，之后再快速将温度升至550℃，升温速率为5℃/s，保温10min，自然冷却。