[发明专利]一种湿度传感器及其制备方法无效
申请号: | 201410328078.6 | 申请日: | 2014-07-10 |
公开(公告)号: | CN104062322A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 刘瑞;张珽;谷文;沈方平;丁海燕;祁明锋 | 申请(专利权)人: | 苏州能斯达电子科技有限公司 |
主分类号: | G01N27/00 | 分类号: | G01N27/00 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 麦小婵;郝传鑫 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种湿度传感器,包括衬底,形成于所述衬底上的氧化硅层,电镀于所述氧化硅层上的下电极和加热电极,旋涂于所述下电极和所述加热电极上的湿度敏感层,以及电镀于所述湿度敏感层上的上电极;其中,所述下电极、所述加热电极和所述上电极由金属镍制成;所述湿度敏感层由高分子材料制成。采用本发明实施例,结构简单、灵敏度高、线性度好,且与CMOS工艺兼容。 | ||
搜索关键词: | 一种 湿度 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种湿度传感器,其特征在于,包括衬底,形成于所述衬底上的氧化硅层,电镀于所述氧化硅层上的下电极和加热电极,旋涂于所述下电极和所述加热电极上的湿度敏感层,以及电镀于所述湿度敏感层上的上电极;其中,所述下电极、所述加热电极和所述上电极由金属镍制成;所述湿度敏感层由高分子材料制成。
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