[发明专利]一种生产沟槽型VDMOS的方法及沟槽型VDMOS

摘要

本发明提供了一种生产沟槽型VDMOS的方法及沟槽型VDMOS。所述方法，包括：在衬底上的外延层表面制作沟槽；在形成有沟槽的外延层表面上生长氧化层；在氧化层的表面生长氮化硅层；刻蚀去除沟槽外部氧化层之上的氮化硅层，以及刻蚀去除沟槽外部全部氧化层以及沟槽侧壁上的氧化层；在沟槽外围边缘、沟槽侧壁生长出直达沟槽底部氧化层的栅氧化层，且沟槽内的栅氧化层和氮化硅层之间存在缝隙；在所述缝隙以及沟槽外部的栅氧化层上生长多晶硅层，多晶硅层完全填满所述缝隙，并刻蚀去除沟槽外部的多晶硅层；形成P-体区；形成N+源区；在沟槽上方生长介质层以及形成接触孔；形成金属层。此种方法制作的沟槽型VDMOS，避免了栅漏电容，减小了对VDMOS动态特性的影响。

主权项

一种生产沟槽型VDMOS的方法，其特征在于，包括：在衬底上的外延层表面制作沟槽；在形成有所述沟槽的外延层表面上生长氧化层，其中，所述沟槽的侧壁和底部也生长有所述氧化层；在所述氧化层的表面生长氮化硅层，所述氮化硅层完全填满所述沟槽；刻蚀去除沟槽外部氧化层之上的氮化硅层，以及刻蚀去除沟槽外部全部氧化层以及沟槽侧壁上的氧化层，在所述沟槽底部保留预定厚度的氧化层，使所述沟槽内的氮化硅层的下表面位于所述沟槽底部的氧化层内；在所述沟槽外围边缘、沟槽侧壁生长出直达沟槽底部氧化层的栅氧化层，且所述沟槽内的栅氧化层和氮化硅层之间存在缝隙；在所述缝隙以及沟槽外部的栅氧化层上生长多晶硅层，所述多晶硅层完全填满所述缝隙，并刻蚀去除沟槽外部的多晶硅层；在沟槽之间的外延层中注入以及驱入硼离子，形成P‑体区；在靠近沟槽顶部的外延层中注入以及驱入磷离子，形成N+源区；在沟槽上方生长介质层以及形成接触孔；形成覆盖所述介质层和外露的栅氧化层以及衬底的金属层。