[发明专利]硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅太阳能电池及其制备方法，其中硅太阳能电池的制备方法包括如下步骤S1.提供冶金级硅晶圆衬底，并对其进行清洗；S2.刻蚀，并纯化处理；S3.对硅纳米阵列的表面进行形貌修饰；S4.对硅纳米阵列的表面进行形貌修饰；S5.涂覆共轭有机物。本发明的硅太阳能电池的制备方法将冶金级硅材料应用到太阳能电池制备中，其充分利用了湿法金属辅助化学刻蚀技术对冶金级硅材料进行表面形貌、以及表面纯化处理形成硅纳米结构。同时对有机材料对硅纳米结构进行钝化处理，提高了冶金级硅电池的电学，光学性能，改善了电荷分离及传输等性能。通过对有机‑无机物杂化异质结的修饰改性提高电池的稳定性，增强了太阳能电池的电荷传输能力。

主权项

一种硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述硅太阳能电池的制备方法包括如下步骤：S1.提供冶金级硅晶圆衬底，并对硅晶圆衬底进行清洗；S2.对清洗完毕的冶金级硅晶圆衬底在刻蚀液中进行刻蚀，经纯化处理后，得到排布规则的硅纳米阵列；S3.对硅纳米阵列的表面进行形貌修饰，得到表面经过修饰处理的冶金级硅纳米结构；其中，所述步骤S3具体包括：使用四甲基氢氧化铵对硅纳米阵列的表面进行形貌修饰，此时，将四甲基氢氧化铵溶于溶剂中配成体积比为1％的修饰溶液，利用修饰溶液浸泡硅纳米阵列的表面15s～1min；S4.在得到的冶金级硅纳米结构表面均匀涂覆共轭有机物，涂覆后，进行退火处理；其中，在惰性气体保护下，在得到的冶金级硅纳米结构表面，通过均胶旋涂法以9000转/分钟的速度均匀涂覆共轭有机物，涂覆后，进行退火处理，所述共轭有机物为聚(3,4二氧乙烯噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)；S5.在涂覆有共轭有机物的表面、及冶金级硅晶圆衬底上制作金属电极。