[发明专利]应力可调的悬浮应变薄膜结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种应力可调的悬浮应变薄膜结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1：提供一自上而下依次包括顶层应变半导体层、埋氧层及半导体衬底的半导体结构，刻蚀顶层应变半导体层形成预设图形微结构及基座；所述微结构包括一对平板及连接于该一对平板之间的至少一条中心桥线；所述平板的外端连接于基座；S2：通过干法腐蚀去除所述微结构下方的埋氧层以释放微结构，使得所述平板应力弛豫，中心桥线应力增加。本发明通过弹性变形机制和图形化改变顶层应变半导体层本身的固有应力，使得平板应力弛豫，而中心桥线应力增加，从而实现应力大小及应力区域的调控，在绝缘体上应变半导体材料结构上制备高质量、大应变的应变纳米线，工艺简单高效。

主权项

1.一种应力可调的悬浮应变薄膜结构的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一自上而下依次包括顶层应变半导体层、埋氧层及半导体衬底的半导体结构，刻蚀所述顶层应变半导体层以在其中形成预设图形微结构及连接于所述微结构的基座；所述微结构包括一对平板、一对外桥线及连接于该一对平板之间的至少一条中心桥线；所述平板的外端通过所述外桥线连接于所述基座；S2：通过氢氟酸蒸汽腐蚀系统进行干法腐蚀去除所述微结构下方的埋氧层以释放所述微结构，避免所述微结构坍塌及避免所述顶层应变半导体层与所述半导体衬底接触，增加所述微结构的悬浮面积，使得所述平板应力弛豫，所述中心桥线应力增加。