[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置，其中提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。

主权项

一种半导体装置，包括：保护电路，其包括：包括第一氧化物半导体的电阻元件；包括第二氧化物半导体的晶体管，该第二氧化物半导体包括沟道形成区；第一布线；和第二布线，其中，所述第二氧化物半导体的氢浓度低于所述第一氧化物半导体的氢浓度，其中，所述第一布线通过所述电阻元件和所述晶体管电连接至所述第二布线，其中，所述第一氧化物半导体电连接至所述第二氧化物半导体，其中，所述第一氧化物半导体与所述第二氧化物半导体分开。