[发明专利]驱动装置的集成电路及其制作方法在审
| 申请号： | 201410329522.6 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN105244350A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 许育豪;林瑞昌 | 申请（专利权）人： | 联咏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/76 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种驱动装置的集成电路及其制作方法，所述集成电路包括一基底，所述基底包括一高压区域及一低压区域；多个第一沟槽，形成于所述高压区域；多个第一隔离层，形成于所述高压区域的该多个第一沟槽中；多个第二沟槽，形成于所述低压区域；以及多个第二隔离层，形成于所述低压区域的所述多个第二沟槽中；其中，每一第一沟槽与每一第二沟槽间具有一深度差。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 装置 集成电路 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种驱动装置的集成电路，用于一驱动装置，该集成电路包括：一基底，包括一高压区域及一低压区域；多个第一沟槽，形成于所述高压区域；多个第一隔离层，形成于所述高压区域的所述多个第一沟槽中；多个第二沟槽，形成于所述低压区域；以及多个第二隔离层，形成于所述低压区域的所述多个第二沟槽中；其中，每一第一沟槽与每一第二沟槽间具有一深度差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
