[发明专利]一种中空介孔碳材料的制备方法有效
申请号: | 201410331124.8 | 申请日: | 2014-07-11 |
公开(公告)号: | CN104058387A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 王升高;张维;孔垂雄;杜祖荣;邓泉荣;王戈民;王传新;皮晓强;李鹏飞 | 申请(专利权)人: | 武汉工程大学 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 崔友明 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种中空介孔碳材料的制备方法。以Si、Ti、Cr或W的粉末和含碳气体为原料,使粉末表面碳化,获得表面为碳化物、中间部位为单质材料的复合粉体前驱物;利用氯气对上述得到的复合粉体进行刻蚀,去除前驱物中的Si、Ti、Cr或W元素得到中空介孔碳材料。本发明中空结构的介孔碳材料在结构上区别于现有技术的均匀介孔材料,中空的大孔能更有效地传输离子,使微孔得到充分利用,不会因为微孔结构的“死孔”现象而导致电容量显著降低。中空结构的介孔碳材料在电容器电极材料的应用时,充电效率大大提高,充电时间显著减少。 | ||
搜索关键词: | 一种 中空 介孔碳 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种中空介孔碳材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:以Si、Ti、Cr或W的粉末和含碳气体为原料,使粉末表面碳化,获得表面为碳化物、中间部位为单质材料的复合粉体前驱物;利用氯气对上述得到的复合粉体进行刻蚀,去除前驱物中的Si、Ti、Cr或W元素得到中空介孔碳材料。
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