[发明专利]一种阵列基板制备方法在审
| 申请号： | 201410331516.4 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104091784A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王凯 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G03F1/32 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 230011 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板制备方法，其中，在有源层形成过程中，保留有源层上方源漏电极之间沟道区所对应位置的部分厚度的光刻胶；然后形成源漏金属层，进一步形成源漏电极；接下来将源漏电极之间沟道区的部分厚度的光刻胶剥离。本发明在形成半导体膜时，采用半透掩膜工艺在TFT沟道处保留部分的光刻胶，使得在源漏电极刻蚀工艺中避免对金属氧化物层的破坏，在之后的剥离过程中再剥离掉，可代替传统的刻蚀阻挡层，从而省掉刻蚀阻挡层的成膜及掩膜工艺，降低生产成本，简化工艺，提高产品良率和产品效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板制备方法，其特征在于，在有源层形成过程中，保留有源层上方源漏电极之间沟道区所对应位置的部分厚度的光刻胶；然后形成源漏金属层，进一步形成源漏电极；接下来将源漏电极之间沟道区的部分厚度的光刻胶剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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