[发明专利]基于CIGS太阳能电池吸收层的表面修饰及复合缓冲层的太阳能电池制备方法无效
申请号: | 201410331981.8 | 申请日: | 2014-07-11 |
公开(公告)号: | CN104078521A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 章婷;李磊;钱磊;刘德昂;谢承智;杨一行 | 申请(专利权)人: | 苏州瑞晟纳米科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0749;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种CIGS太阳能电池吸收层的修饰和缓冲层的优化方法,将修饰层CuInS2引入吸收层表面作为过渡层,降低吸收层和缓冲层之间的带宽层间差距,提高匹配性;同时用CdS/ZnS双缓冲层代替传统的CdS缓冲层,减少Cd的用量提高生产过程的环保性;同时CdS/ZnS的引入有利于获得蓝光区的光谱响应,提高电池的短路电流;减小电子亲和势,提高开路电压;提高吸收层和缓冲层之间的晶格匹配性,进而进一步提高太阳能电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 基于 cigs 太阳能电池 吸收 表面 修饰 复合 缓冲 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于CIGS太阳能电池吸收层的表面修饰及复合缓冲层的太阳能电池制备方法,其特征在于,其中包括:CIGS吸收层表面的修饰层,该修饰层置于CIGS吸收层的表面,提升其与缓冲层的匹配性。复合缓冲层,该缓冲层设置在CIGS吸收层表面的修饰层之上,可以减少制备过程中的污染,还可以增强电池对光的吸收,并可以提升此层上下界面的匹配性。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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