[发明专利]一种设有SiNX封装保护层的柔性热膜流速传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201410332052.9 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104101729A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 徐军;邵天敏 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01P5/10 | 分类号： | G01P5/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种设有SiNx封装保护层的柔性热膜流速传感器及其制备方法。该传感器包括依次沉积在聚酰亚胺基体上的Cr过渡层、Ni敏感层和SiNx封装保护层。该方法包括如下步骤：采用离子束辅助沉积的方法，在聚酰亚胺基体上依次沉积Cr过渡层、Ni敏感层和SiNx封装保护层，即得。本发明具有以下优点：(1)SiNx封装保护层能抑制水汽和氧气对柔性器件的侵蚀和氧化，显著提高了传感器的性能稳定性和使用寿命。(2)在柔性基体上连续制备敏感层和封装保护层，避免了因采用多种制备方法完成传感器的制备所造成的内部结合强度和集成度不高的缺点。(3)SiNx封装保护层使传感器的灵敏度得到了提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 设有 sin sub 封装 保护层 柔性 流速 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种设有SiNx封装保护层的柔性热膜流速传感器，其特征在于：它包括依次沉积在聚酰亚胺基体上的Cr过渡层、Ni敏感层和SiNx封装保护层。
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