[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。电极与AlGaN层欧姆接触。半导体器件(SD)具有氮化物半导体层(GN2)，Al_xGa_(1-x)N层(AGN)即“AlGaN层(AGN)”，以及Al电极(DE、SE)。在AlGaN层(AGN)中，满足0<x≤0.2。在AlGaN层(AGN)中的p型杂质的浓度和n型杂质的浓度都是1×10¹⁶cm^-3或者更低。在本示例中，通过例如Be、C以及Mg例示p型杂质。通过Si、S以及Se例示n型杂质。Al电极(DE、SE)被连接到AlGaN层(AGN)。因为Al的组分比不限于上述范围，所以使Al电极(DE、SE)与AlGaN层(AGN)欧姆接触。

主权项

一种半导体器件，包括：氮化物半导体层；Al_xGa_(1‑x)N层，所述Al_xGa_(1‑x)N层被形成在GaN层上，在所述Al_xGa_(1‑x)N层中，p型杂质的浓度和n型杂质的浓度都是1×10¹⁶cm^‑3或者更低，其中0<x≤0.2；以及Al电极，所述Al电极被形成在所述Al_xGa_(1‑x)N层上。