[发明专利]一种超结MOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410332442.6 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN105336777A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超结MOS器件及其制造方法。该制造方法包括如下顺序进行的步骤：在N型硅衬底的N型外延层内部形成深沟槽；在形成有所述深沟槽的N型硅衬底上形成P型外延层，经驱入，在所述N型外延层内部形成P型扩散层；在所述P型外延层内部形成浅沟槽，并使所述浅沟槽深入至所述N型外延层内部；在形成有所述浅沟槽的N型硅衬底表面形成栅氧化层，并在所述浅沟槽内部的栅氧化层上填充多晶硅；在填充有所述多晶硅的N型硅衬底的P型外延层内部形成源区；在形成有所述源区的N型硅衬底表面依次形成介质层和金属层。本发明的制造方法无需对P型外延层进行回刻或研磨，并且还能够省去体区制作步骤，因此简化了制造工艺并降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超结MOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下顺序进行的步骤：在N型硅衬底的N型外延层内部形成深沟槽；在形成有所述深沟槽的N型硅衬底上形成P型外延层，经驱入，在所述N型外延层内部形成P型扩散层；在所述P型外延层内部形成浅沟槽，并使所述浅沟槽深入至所述N型外延层内部；在形成有所述浅沟槽的N型硅衬底表面形成栅氧化层，并在所述浅沟槽内部的栅氧化层上填充多晶硅；在填充有所述多晶硅的N型硅衬底的P型外延层内部形成源区；在形成有所述源区的N型硅衬底表面依次形成介质层和金属层。
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