[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410332555.6 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN104835780B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 陈建宏;刘胜杰;陈禾秉;吴文朗;崔成章 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和金属栅极。金属栅极包括金属填充层并设置在衬底上方。半导体结构还包括金属填充层上方的介电材料并且将金属填充层与导电线路间隔开。导电线路位于介电材料上方。半导体结构还包括纵向延伸穿过介电材料并且沿着横向方向终止于金属填充层内部的横向侵蚀部的导电塞。横向方向基本垂直于导电塞的纵向方向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 金属填充层 介电材料 导电线路 横向方向 金属栅极 导电塞 衬底 横向侵蚀 制造 垂直 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成金属栅极结构；将第一介电层设置在所述衬底上；将第二介电层设置在所述金属栅极结构和所述衬底上方；在所述第二介电层中执行第一蚀刻，从而形成第一开口，以暴露所述金属栅极结构中的金属材料的顶面；在所述第二介电层和所述第一介电层中执行第二蚀刻，从而形成第二开口，以暴露所述衬底的硅化物区；以及在形成的所述第一开口中执行湿蚀刻，以从所述顶面去除所述金属材料的一部分，从而在所述第二介电层下方形成横向凹槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410332555.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体芯片的制造方法和半导体芯片
- 下一篇：熔丝的制造方法和熔丝
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
