[发明专利]一种微波辅助低温快速合成纳米氮化硅-碳化硅复合粉体的方法有效
| 申请号： | 201410333474.8 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN104150911A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 刘银;朱金波;朱宏政;汪桂杰 | 申请（专利权）人： | 安徽理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/565;C04B35/65 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 王挺 |
| 地址： | 232001 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微波辅助低温快速合成纳米Si3N4/SiC复合粉体的方法，本方法中的硅源粉体包括以下重量百分比的组分：硅粉45～35％、SiC微粉30～25％、聚乙二醇28～20％、水4～3％、其它杂质4～2％；制备时将粒径D50为1～1.5μm的硅源粉体和还原剂混合后湿球磨，干燥后过100目筛得到混合料；将混合料置于微波反应炉中在氮气气氛中于1180～1280℃微波辅助固相合成20～30分钟，冷却后即得纳米Si3N4/SiC复合粉体。本发明可以实现光伏晶体硅加工废砂浆滤饼资源化综合利用，同时微波辅助固相合成工艺简单，升温速度快，合成温度低，保温时间短，可有效降低生产成本和能源消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 辅助 低温 快速 合成 纳米 氮化 碳化硅 复合 方法 | ||
【主权项】：
一种微波辅助低温快速合成纳米氮化硅‑碳化硅复合粉体的方法，本方法中的硅源粉体包括以下重量百分比的组分：硅粉45～35％、SiC微粉30～25％、聚乙二醇28～20％、水4～3％、其它杂质4～2％；硅源粉体粒径D50：1～1.5μm，制备过程如下： 先称取硅源粉体和还原剂，所述还原剂占硅源粉体和还原剂总质量的百分比为20～40％；然后将硅源粉体和还原剂混合后湿球磨，干燥后过100目筛得到混合料；将所述混合料置于微波反应炉中在氮气气氛中于1180～1280℃微波辅助固相合成20～30分钟，冷却后即得纳米Si3N4/SiC复合粉体。
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