[发明专利]一种引线孔、其制作方法、晶体管及CMOS晶体管在审
| 申请号： | 201410333930.9 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105336717A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 崔金洪 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种引线孔、其制作方法、晶体管及CMOS晶体管，在该引线孔的制作方法中，由于在绝缘层中形成通孔之后，在导电区中形成凹槽，而导电区中的凹槽可以增大金属引线层与导电区的接触面积，因此上述制作方法不仅可以通过增大金属引线层与导电区的接触面积来降低金属引线层与导电区之间的电阻，并且上述制作方法工艺步骤简单，可以降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 引线 制作方法 晶体管 cmos | ||
【主权项】：
一种引线孔的制作方法，包括在衬底上形成导电区以及覆盖所述导电区的绝缘层，其特征在于，在形成所述绝缘层之后，还包括：采用构图工艺对所述绝缘层进行构图，在位于所述导电区区域的绝缘层中形成通孔，暴露出所述导电区的表面；在所述绝缘层中形成所述通孔之后，对暴露出的所述导电区进行刻蚀，在所述导电区中形成凹槽；形成与所述导电区电性连接的，且覆盖所述凹槽底部和侧壁、所述通孔侧壁、以及所述绝缘层表面的金属引线层。
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