[发明专利]带有按图案设置的结合剂的pH传感器有效
| 申请号： | 201410333968.6 | 申请日： | 2014-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN104345084B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | D·霍尔克黑默;P·S·费奇纳;D·S·威利茨 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;胡莉莉 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开了带有按图案设置的结合剂的pH传感器。这里描述的实施例提供了pH传感器，其包括基底和离子敏感场效应晶体管(ISFET)管芯。ISFET管芯包括离子感测部分，其被配置为暴露于介质，使得其输出与介质的pH水平相关的信号。ISFET管芯结合到基底，其中至少一种成分的结合剂材料设置于ISFET管芯和基底之间。至少一种成分的结合剂材料的一个或多个条带以第一图案设置于基底和ISFET管芯之间。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 图案 设置 结合 ph 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种pH传感器（2），包括：基底（70）；离子敏感场效应晶体管（ISFET）管芯（10），其包括响应pH的离子感测部分（12），其中离子敏感场效应晶体管管芯结合到基底；其中离子敏感场效应晶体管管芯的离子感测部分被配置为暴露于介质，并且其中离子感测部分输出与介质的pH水平相关的信号；以及至少一种成分的结合剂材料的多个条带（206、208），其以第一图案设置于基底和离子敏感场效应晶体管管芯之间，其中多个条带包括在一个方向上的抵消在热改变期间在离子敏感场效应晶体管管芯上的环境力的至少一部分的抵消力，并且其中所述抵消力被配置为维持离子敏感场效应晶体管管芯从漏极到源极的压电电阻的改变小于0.5%。
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