[发明专利]用于减少MOSFET闪烁噪声的模块化方法在审
| 申请号： | 201410334148.9 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104300963A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | A·艾什拉格伊;A·托马西尼 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H03K19/0944 | 分类号： | H03K19/0944;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及用于减少MOSFET闪烁噪声的模块化方法。在一个示例性的实施方案中，本申请提供了一种减少器件中的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的闪烁噪声的模块化方法。首先，电路设计者可以选择器件中的一个或多个表面沟道MOSFET。然后，一个或多个表面沟道MOSFET被转换为一个或多个掩埋沟道MOSFET，以降低闪烁噪声。一个或多个掩模可被应用到一个或多个表面沟道MOSFET的沟道。该技术可用在运算放大器的输入端，更具体地，轨对轨运算放大器，以及其它模拟和数字电路，例如混频器、环形振荡器、电流反射镜等。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 mosfet 闪烁 噪声 模块化 方法 | ||
【主权项】：
一种用于减少一个或多个金属氧化物半导体场效应晶体(MOSFET)的闪烁噪声的方法，其特征在于，所述方法包含：选择器件中的一个或多个表面沟道MOSFET；和将所述一个或多个表面沟道MOSFET转换成一个或多个掩埋沟道MOSFET。
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