[发明专利]一种硅基背面减薄方法

摘要

一种硅基背面减薄方法，涉及刻蚀工艺。该方法包括以下步骤首先，配合使用生料带与硅胶，使得硅基片除背面待减薄区域之外的其它表面得到完全密封；其次，待硅胶充分固化后，采用腐蚀液对硅基片背面待减薄区域进行腐蚀，使得硅基背面待减薄区域减薄至所需厚度；进而，减薄工艺完成后，去除生料带。由于硅胶及生料带成本低廉，安全性好，因此该方法有效克服现有技术中进行硅基减薄时保护其正面器件图形的方法成本高或使用局限性强的缺点，此外本方法适用于对不同尺寸的硅基减薄，尤其适用于实验室中应用，缩短实验周期，降低实验成本。

主权项

硅基背面减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：A.在载玻片上拼接生料带，并将硅胶涂覆在缝隙处，使得生料带的面积大于待减薄硅基的面积；将待减薄硅基放置在生料带上，且其正面为与生料带的接触面；在待减薄硅基背面待减薄区域边缘外侧涂覆硅胶；在所述的硅胶上拼接放置生料带，与载玻片上的生料带结合，使得硅基只露出其背面待减薄区域，并涂覆硅胶以覆盖住生料带的缝隙，使得待减薄的硅基得到完全密封；B.待硅胶充分固化后，进行腐蚀，使得硅基背面待减薄区域减薄至所需厚度；C.减薄工艺完成后，去除生料带。