[发明专利]一种加热腔室及半导体加工设备

摘要

本发明涉及加热腔室及半导体加工设备，该加热腔室包括多个加热区域和与加热区域一一对应的加热单元、驱动单元、检测单元、控制单元和与加热单元一一对应的调节单元，驱动单元用于驱动检测单元在平行于晶片的平面内移动，并实时将检测单元的位置信号发送至控制单元；检测单元用于在其移动的过程中实时检测晶片上对应多个加热区域的温度，并将温度发送至控制单元；控制单元用于根据驱动单元发送的位置信号判断检测单元发送的温度属于的加热区域，并判断该温度与预设温度是否存在偏差，若是，调节该温度属于的加热区域所对应的调节单元，以校准对应的加热单元的输出功率。该加热腔室可以提高加热准确性和温度均匀性和降低测量晶片温度的难度。

主权项

1.一种加热腔室，用于实现对晶片进行均匀加热，所述加热腔室包括多个加热区域和与所述加热区域一一对应的加热单元，其特征在于，还包括驱动单元、检测单元、控制单元和与所述加热单元一一对应的调节单元，其中所述驱动单元用于驱动所述检测单元在平行于所述晶片的平面内移动，并实时将所述检测单元的位置信号发送至控制单元；所述多个加热区域为沿所述晶片的径向划分的多个互为同心的区域，所述驱动单元用于驱动所述检测单元沿所述晶片的径向移动；所述检测单元用于在其移动的过程中实时检测所述晶片上对应多个所述加热区域的温度，并将所述温度发送至控制单元；所述控制单元用于根据所述驱动单元发送的位置信号判断所述检测单元发送的温度属于的加热区域，并判断该温度与预设温度是否存在偏差，若是，调节该温度属于的加热区域所对应的所述调节单元，以校准对应的所述加热单元的输出功率。