[发明专利]一种相变存储器单元的制作方法无效
| 申请号： | 201410335807.0 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104124337A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 刘波;高丹;宋志棠;詹奕鹏;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及相变存储器单元的制作方法。本发明针对包含加热电极过渡层材料TiON的相变存储器器件单元结构，提出一种TiON过渡层的制备方法，即采用氧等离子体处理TiN的方法，该方法在不增加相变存储器制作工艺复杂度的前提下，实现了TiON材料的均匀可控制备，方法简单易行，且与半导体工艺完全兼容，可有效提高加热电极的加热效率，降低相变存储器操作电流和功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 单元 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器单元的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：1)提供一衬底；2)在所述衬底上形成下电极层；3)在所述下电极层上形成加热电极TiN材料层；4)在所述加热电极材料层上采用氧等离子体处理形成过渡层；5)在所述过渡层上形成相变材料层；6)在所述相变材料层上形成黏附层；7)在所述黏附层上形成上电极层；8)在所述下电极层上形成引出电极层；9)继续后继常规工艺以形成相变存储器单元。
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