[发明专利]一种跨尺度微纳米褶皱结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种跨尺度微纳米褶皱结构的制备方法，包括以下步骤：(1)清洗：将单晶硅片清洗干净并烘干；(2)匀胶：在单晶硅片上涂覆上一层光刻胶；(3)光刻：在单晶硅片上形成光刻胶阵列结构；(4)镀膜：在光刻胶阵列结构上镀上一层刚性薄膜；(5)热解：使光刻胶发生热解和收缩，刚性薄膜形成微纳米褶皱。本发明中光刻胶发生热解后形成的碳结构和刚性薄膜形成的微纳结构都具有较好的导电、导热性，可以用作微传感器、微燃料电池、生物芯片等微型器件的工作电极，能增大电极的比表面积及提高其工作效率。

主权项

一种跨尺度微纳米褶皱结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)、清洗：将单晶硅片用去离子水冲洗后再用丙酮超声清洗，然后将单晶硅片放入硫酸双氧水混合液中加热，取出后用去离子水将单晶硅片冲洗干净后用气体吹干，再将单晶硅片烘干后冷却至室温；(2)、匀胶：将单晶硅片放入匀胶机，在单晶硅片表面涂覆一层光刻胶，然后进行前期烘干处理；(3)、光刻：将表面涂覆有光刻胶的单晶硅片放入光刻机，利用光刻机对光刻胶进行曝光，然后用显影液显影，再使用去离子水将光刻胶和单晶硅片冲洗干净后用气体吹干，则单晶硅片上的光刻胶形成微米阵列结构，所述微米阵列结构由多个光刻胶单元排列而成；(4)、镀膜：将靶材和表面排列有微米阵列结构的单晶硅片放入镀膜机，在微米阵列结构的表面镀上一层刚性薄膜；(5)、热解：将带有微米阵列结构和刚性薄膜的单晶硅片放入管式炉，管式炉内部抽真空，通入氮气并将管式炉升温后保温；继而再通入氮气和氢气，然后再升温后保温，使光刻胶发生热分解及体积收缩，从而使光刻胶表面的刚性薄膜产生褶皱。