[发明专利]石墨烯电池及其电极板的制造方法有效
申请号: | 201410335908.8 | 申请日: | 2014-07-15 |
公开(公告)号: | CN105261778B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 廖伟豪 | 申请(专利权)人: | 武维扬 |
主分类号: | H01M10/04 | 分类号: | H01M10/04;H01M4/04 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;丛芳 |
地址: | 中国台湾台北市内*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种石墨烯电池及其电极板的制造方法,该制造方法包括下列步骤:提供第一绝缘基材,使用气相沉积法在第一绝缘基材表面上沉积第一导电薄膜,在第一绝缘基材的第一导电薄膜表面上沉积第一石墨烯薄膜,提供第二绝缘基材,在第二绝缘基材表面上沉积第二导电薄膜,在第二绝缘基材的第二导电薄膜表面上沉积第二石墨烯薄膜,将沉积完成的第一绝缘基材与第二绝缘基材组合在包装容器中,注入电解液并经化成程序后予以抽真空密封包装。由于石墨烯材料本身的多孔特性与高比表面积,以及本发明所采用的真空溅镀法或化学气相沉积法所沉积的薄膜的高密度特性,使得所制造的石墨烯电池具有较高的能量储存密度与高功率密度。 | ||
搜索关键词: | 石墨 电池 及其 极板 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种石墨烯电池的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括下列步骤:提供第一绝缘基材;使用气相沉积法在所述第一绝缘基材表面上沉积第一导电薄膜;使用气相沉积法在所述第一绝缘基材的所述第一导电薄膜表面上沉积第一石墨烯薄膜;提供第二绝缘基材;使用气相沉积法在所述第二绝缘基材表面上沉积第二导电薄膜;使用气相沉积法在所述第二绝缘基材的所述第二导电薄膜表面上沉积第二石墨烯薄膜;将沉积完成的所述第一绝缘基材与所述第二绝缘基材组合在包装容器中;以及注入电解液并经化成程序后予以抽真空密封包装;其中沉积所述第一导电薄膜与所述第一石墨烯薄膜的程序是以真空溅镀法连续完成的,并且沉积所述第二导电薄膜与所述第二石墨烯薄膜的程序是以真空溅镀法连续完成的,其中,所述制造方法还包括下列步骤:使用气相沉积法在所述第一绝缘基材的所述第一石墨烯薄膜表面上再次沉积另一石墨烯薄膜;以及使用气相沉积法在所述第二绝缘基材的所述第二石墨烯薄膜表面上再次沉积另一石墨烯薄膜。
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