[发明专利]一种FinFET制造方法

摘要

本发明提供了一种FinFET制造方法，包括：一种FinFET制造方法，包括：a.提供第一衬底(100)；b.在所述衬底上形成穿通阻挡层(120)；c.在所述衬底(100)上形成第二衬底(130)；d.对所述第一衬底(100)和第二衬底(130)进行刻蚀，形成鳍片(200)；e.在所述鳍片(200)两侧的衬底上形成浅沟槽隔离结构(300)；f.在所述鳍片(200)两端的部分分别形成源区、漏区，在所述鳍片中部的沟道区上方形成栅极结构(500)。相比于现有技术，本发明在降低了沟道穿通效应影响的同时，有效地减小了工艺复杂度。

主权项

1.一种FinFET制造方法，包括：a.提供第一衬底(100)；b.在所述衬底上形成穿通阻挡层(120)，所述穿通阻挡层(120)采用离子注入的方法形成，掺杂浓度为1e17cm‑3～1e19cm‑3，峰值位于所述衬底(100)表面10～30nm之内；c.在所述衬底(100)上形成第二衬底(130)；d.对所述第一衬底(100)和第二衬底(130)进行刻蚀，形成鳍片(200)；e.在所述鳍片(200)两侧的衬底上形成浅沟槽隔离结构(300)；h.在所述鳍片(200)两端的部分分别形成源区、漏区，在所述鳍片中部的沟道区上方形成栅极结构(500)；其中，在所述衬底上形成穿通阻挡层(120)，所述穿通阻挡层(120)采用离子注入的方法形成，掺杂浓度为1e17cm‑3～1e19cm‑3，峰值位于所述衬底(100)表面10～30nm之内的步骤进一步包括：在所述第一衬底100表面形成掩膜保护层(110)；在所述衬底上形成穿通阻挡层(120)，所述穿通阻挡层(120)采用离子注入的方法形成，掺杂浓度为1e17cm‑3～1e19cm‑3，峰值位于所述衬底(100)表面10～30nm之内；去除所述掩膜保护层(110)，并进行快热退火，以消除因注入产生的缺陷。