[发明专利]一种具有软关断特性的场电荷抽取二极管在审
| 申请号： | 201410337569.7 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104157702A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 谭巍;李建清 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/36;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种具有软关断特性的场电荷抽取二极管，用于提高功率二极管软关断特性。具有软关断特性的场电荷抽取二极管，从下往上依次设置有阴极区、第一缓冲层N区、漂移N-区和阳极P+区，所述阴极区由阴极N+区和阴极P+区两部分构成，所述阴极P+与第一缓冲层N区之间还设置有第二缓冲层N-区，所述第二缓冲层N-区掺杂浓度与漂移N-区相同，掺杂浓度为1.0×1013～2.0×1014cm3。该二极管具有良好的软恢复特性，相比于少子寿命分布的二极管反向峰值电流减小，软度因子增大；因而能够更好的适用于高频电路应用中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 软关断 特性 电荷 抽取 二极管 | ||
【主权项】：
一种具有软关断特性的场电荷抽取二极管，从下往上依次设置有阴极区、第一缓冲层N区、漂移N‑区和阳极P+区，其特征在于，所述阴极区由阴极N+区和阴极P+区两部分构成，所述阴极P+与第一缓冲层N区之间还设置有第二缓冲层N‑区，所述第二缓冲层N‑区掺杂浓度与漂移N‑区相同，掺杂浓度为1.0×1013～2.0×1014cm3。
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