[发明专利]一种具有防扩层的发光二极管及其制造方法

摘要

本发明公开一种具有防扩层的发光二极管的制造方法，采用前期增加外延生长防扩层，后期二极管制作工艺中在防扩层之上形成金属反射镜，并在防扩层嵌入金属导电通道，通过采用氧化工艺将防扩层变成氧化物介质层，且与金属反射镜、导电通道构成复合的全方位反射效果，通过叠加布拉格反射层而组成的两部分复合结构，获得较高的发光亮度。采用此方法解决了传统倒置芯片制作过程中，在外延层蒸镀氧化膜工艺，外延层与氧化膜、金属反射镜存在材料界面容易剥离的问题，提高发光二极管的稳定性及生产制造过程的成品率。本发明还公开所述方法制造的具有防扩层的发光二极管，使外量子效率较高，且内部层结构连接较为稳定。

主权项

一种具有防扩层的发光二极管制造方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一，在衬底的上表面依次形成第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层、防扩层及保护层；步骤二，腐蚀去除保护层；步骤三，在防扩层上光刻复数个通孔，通孔腐蚀至第二型电流扩展层，在防扩层上蒸镀金属，金属填满通孔形成导电通道，与第二型电流扩展层形成欧姆接触，而在非导电通道的区域形成金属反射镜；步骤四，将金属反射镜键合在具有导电性的硅基板上，去除衬底；并在硅基板的另一面形成第二电极；在第一型电流扩展层上形成第一电极；步骤五，在第一电极和第二电极上形成保护膜，采用粗化工艺在第一型电流扩展层的表面形成粗化形貌；步骤六，由第一型电流扩展层向硅基板方向进行第一次切割，切割深度至硅基板表面或表面往下小于10微米；步骤七，所述防扩层至少包括第二防扩层，采用氧化工艺将第二防扩层的外延材料转变成氧化物介质层；步骤八，除去第一电极和第二电极上的保护膜，第二次切割分裂得到发光二极管。