[发明专利]场效应晶体管的具有基脚的栅极结构有效
| 申请号： | 201410338643.7 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104851913B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;陈建颖;林志忠;林志翰;张永融 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种场效应晶体管(FET)结构。在一些实施例中，场效应晶体管(FET)结构包括第一半导体结构和栅极结构。第一半导体结构包括沟道区以及源极区和漏极区。源极区和漏极区分别形成在沟道区的相对两端。栅极结构包括中心区和基脚区。中心区形成在第一半导体结构上方。在中心区的相对两侧并且沿着中心区邻近于第一半导体结构的位置形成基脚区。本发明还提供了一种形成晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 具有 基脚 栅极 结构 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管FET结构，包括：第一半导体结构，包括：沟道区，和源极区和漏极区，分别形成在所述沟道区的相对两端上；以及栅极结构，包括：中心区，形成在所述第一半导体结构的上方，和基脚区，在所述中心区的相对两侧上并且沿着所述中心区邻近于所述第一半导体结构的位置形成；其中，所述中心区包括栅介质、功函金属层和填充金属，其中，所述栅介质和所述功函金属层延伸至所述基脚区，并且所述填充金属不延伸至所述基脚区。
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