[发明专利]接触孔的制作方法有效
申请号: | 201410339008.0 | 申请日: | 2014-07-16 |
公开(公告)号: | CN105374736B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 王新鹏 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请公开了一种接触孔的制作方法。其中,该制作方法包括:在衬底的表面上远离衬底的方向上依次形成介质层和具有图形的掩膜层;沿掩膜层中图形的长轴方向,在裸露于图形外的介质层的两端上形成辅助掩膜层;沿掩膜层中图形向下刻蚀辅助掩膜层和介质层至暴露出衬底,在介质层中形成接触孔;去除掩膜层。该制作方法利用辅助掩膜层在后续刻蚀介质层形成接触孔的过程中所产生的刻蚀残留物,以使得介质层中沿接触孔短轴方向的内壁上形成的刻蚀残留物等于沿接触孔长轴方向的内壁上形成的刻蚀残留物,进而使得接触孔中沿短轴方向的尺寸变化值等于沿长轴方向的尺寸变化值,从而获得具有设计尺寸的接触孔。 | ||
搜索关键词: | 接触 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种接触孔的制作方法,所述接触孔的长轴与短轴不相等,其特征在于,所述长轴是指所述接触孔横截面积中相对较长的直径,所述短轴是指所述接触孔横截面积中相对较短的直径,该制作方法包括:在衬底的表面上远离所述衬底的方向上依次形成介质层和具有图形的掩膜层;沿所述掩膜层中所述图形的长轴方向,在裸露于所述图形外的所述介质层的两端上形成辅助掩膜层,所述辅助掩膜层选自有机抗反射涂层,氧化硅或氮化硅;沿所述掩膜层中所述图形向下刻蚀所述辅助掩膜层和所述介质层至暴露出所述衬底,在介质层中形成所述接触孔;去除所述掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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