[发明专利]接触孔的制作方法有效

专利信息
申请号: 201410339008.0 申请日: 2014-07-16
公开(公告)号: CN105374736B 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 王新鹏 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;张永明
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请公开了一种接触孔的制作方法。其中,该制作方法包括:在衬底的表面上远离衬底的方向上依次形成介质层和具有图形的掩膜层;沿掩膜层中图形的长轴方向,在裸露于图形外的介质层的两端上形成辅助掩膜层;沿掩膜层中图形向下刻蚀辅助掩膜层和介质层至暴露出衬底,在介质层中形成接触孔;去除掩膜层。该制作方法利用辅助掩膜层在后续刻蚀介质层形成接触孔的过程中所产生的刻蚀残留物,以使得介质层中沿接触孔短轴方向的内壁上形成的刻蚀残留物等于沿接触孔长轴方向的内壁上形成的刻蚀残留物,进而使得接触孔中沿短轴方向的尺寸变化值等于沿长轴方向的尺寸变化值,从而获得具有设计尺寸的接触孔。
搜索关键词: 接触 制作方法
【主权项】:
1.一种接触孔的制作方法,所述接触孔的长轴与短轴不相等,其特征在于,所述长轴是指所述接触孔横截面积中相对较长的直径,所述短轴是指所述接触孔横截面积中相对较短的直径,该制作方法包括:在衬底的表面上远离所述衬底的方向上依次形成介质层和具有图形的掩膜层;沿所述掩膜层中所述图形的长轴方向,在裸露于所述图形外的所述介质层的两端上形成辅助掩膜层,所述辅助掩膜层选自有机抗反射涂层,氧化硅或氮化硅;沿所述掩膜层中所述图形向下刻蚀所述辅助掩膜层和所述介质层至暴露出所述衬底,在介质层中形成所述接触孔;去除所述掩膜层。
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