[发明专利]双重图形化鳍式晶体管的鳍结构制造方法

摘要

本发明公开了一种双重图形化鳍式晶体管的鳍结构制造方法，采用部分刻蚀法，即第二非晶碳层刻蚀厚度大约在二分之一到四分之三左右，之后淀积二氧化硅薄膜并刻蚀形成二氧化硅侧壁隔离硬掩模图形，然后利用干法刻蚀去除核心牺牲层图形顶部的无氮抗反射层，使其下方的非晶碳暴露出来，最后利用等离子干法刻蚀工艺将暴露出来的第二非晶碳层去除，形成以二氧化硅侧墙及其下方的非晶碳组成的硬掩模线条。本发明避免了现有方法所产生的形貌和关键尺寸控制问题，从而扩大了后续图形化工艺窗口，更有利于鱼鳍结构的关键尺寸和形貌的控制。

主权项

一种双重图形化鳍式晶体管的鳍结构制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供一半导体器件衬底，并在该衬底上自下而上依次淀积第一二氧化硅层、第一氮化硅层、第一非晶碳层、第二氮化硅层、第二非晶碳层以及抗反射层；步骤S02，在顶层抗反射层上涂布光刻胶，通过曝光显影工艺，完成核心牺牲层图形光刻步骤；步骤S03，以光刻胶为掩模刻蚀抗反射层以及部分第二非晶碳层，形成具有第二非晶碳层及其顶部抗反射层的核心牺牲层图形；步骤S04，在该核心牺牲层图形上淀积一层第二二氧化硅层；步骤S05，利用各向异性刻蚀该第二二氧化硅层，露出核心牺牲层图形顶部抗反射层，形成核心牺牲层图形的二氧化硅侧墙；步骤S06，刻蚀去除该核心牺牲层图形顶部抗反射层；步骤S07，利用各向异性刻蚀暴露出来的第二非晶碳层，形成由该二氧化硅侧墙及其下方残留第二非晶碳层组成的第一硬掩模线条；步骤S08，以该第一硬掩模线条为掩模刻蚀该第二氮化硅层、第一非晶碳层以及第一氮化硅层，形成底部为氮化硅的第二硬掩模线条，并去除该第二硬掩模线条中氮化硅上方的非晶碳；步骤S09，以该第二硬掩模线条中的氮化硅线条为掩模刻蚀该第一二氧化硅层以及衬底，形成鳍结构。