[发明专利]一种高导热碳化硅陶瓷材料及其制备方法有效
申请号: | 201410339137.X | 申请日: | 2014-07-16 |
公开(公告)号: | CN104072143A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 孙道明 | 申请(专利权)人: | 苏州立瓷电子技术有限公司 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/622 |
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地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种高导热碳化硅陶瓷材料,所述的高导热碳化硅陶瓷材料由以下成分按照重量比组成:碳化硅29~35份、氧化锆11~15份、碳化镁5~11份、二氧化钛6~8份、碳化钨6~12份、氧化锂3~6份。所述的一种高导热碳化硅陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:(1)取碳化硅29~35份、氧化锆11~15份、碳化镁5~11份、二氧化钛6~8份、碳化钨6~12份、氧化锂3~6份,机械粉碎;(2)将机械粉碎后的混合粉末用球磨机进行球磨;(3)用球磨机进行球磨后将混合粉末在模具中进行高温烧结,首先将混合粉末升温,再冷却至室温,制备得到碳化硅陶瓷材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 导热 碳化硅 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高导热碳化硅陶瓷材料,其特征在于所述的高导热碳化硅陶瓷材料由以下成分按照重量比组成:
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