[发明专利]电磁扰动多晶硅除杂装置及其方法无效
| 申请号： | 201410339743.1 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104131342A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 姜大川;李鹏廷;林海洋;谭毅;王鹏 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C30B28/08 | 分类号： | C30B28/08;C30B29/06 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 曲宝威 |
| 地址： | 116000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 电磁扰动多晶硅除杂装置及其方法，在炉体内下部设有石墨底座，在石墨底座上配有装入多晶硅料的坩锅，在炉体内位于坩锅周边设有与系统控制装置相接的加热体，在炉体内位于坩锅的外侧设有与系统控制装置相接的感应线圈。步骤如下：向坩锅内装入多晶硅料，关闭炉体的腔室，抽高真空，真空度小于0.1Pa；加温；硅料完全处于液态，进入长晶阶段；每一个小时测量一次固液界面高度，并控制固液界面的生长速度；当固液界面位置到达距硅液顶部3-8厘米的位置时，感应线圈通交变电流，产生磁感应力，使熔硅向中间聚集并形成凸起，通过调节交变电流弱化顶部高杂志区熔硅凝固的结合力，并最终形成凸性突起；冷却后出炉；去除凸性突起。提高了出成率，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁 扰动 多晶 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种电磁扰动多晶硅除杂装置，包括炉体（3），在炉体（3）内下部设有石墨底座（4），在石墨底座（4）上配有装入多晶硅料的坩锅（2），在炉体（3）内位于坩锅（2）周边设有与系统控制装置相接的加热体（1），其特征在于：在炉体（3）内位于坩锅（2）的外侧设有与系统控制装置相接的感应线圈（7）。
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