[发明专利]电子束顶部局部加热凝固多晶硅除杂装置及多晶硅加热凝固除杂方法有效

专利信息
申请号: 201410339745.0 申请日: 2014-07-17
公开(公告)号: CN104131338A 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 谭毅;林海洋;姜大川;石爽;王鹏 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 大连非凡专利事务所 21220 代理人: 曲宝威
地址: 116000 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明的电子束顶部局部加热凝固多晶硅除杂装置及方法,在炉体内下部设有石墨底座,在石墨底座上配有装入多晶硅料的坩锅,在炉体内位于坩锅周边设有与系统控制装置相接的加热体,在炉体上部安装有电子枪,电子枪工作时产生的电子束刚好指向坩锅的内侧。步骤如下:向坩锅内装入多晶硅料,并坩锅置于石墨底座上,关闭炉门,抽高真空,真空度小于0.1Pa;检查参数并运行程序加温;长晶;测固液界面高度;利用电子枪对液面局部加热,界面形成凸起部;冷却出炉;去除凸起的高密杂质区域。具有出成率高、成本低的优点。
搜索关键词: 电子束 顶部 局部 加热 凝固 多晶 装置 方法
【主权项】:
一种电子束顶部局部加热凝固多晶硅除杂装置,包括炉体(3),在炉体(3)内下部设有石墨底座(4),在石墨底座(4)上配有装入多晶硅料的坩锅(2),在炉体(3)内位于坩锅(2)周边设有与系统控制装置相接的加热体(1),其特征在于:在炉体(3)上部安装有电子枪(7),电子枪(7)工作时产生的电子束刚好指向坩锅(2)的内侧。
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