[发明专利]局部加热凝固多晶硅除杂装置及除杂方法有效
| 申请号： | 201410339759.2 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104131343A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 李鹏廷;温书涛;姜大川;林海洋;谭毅;石爽 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C30B28/08 | 分类号： | C30B28/08;C30B29/06 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 曲宝威 |
| 地址： | 116000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 局部加热凝固多晶硅除杂装置，在炉体内下部设有石墨底座，在石墨底座上配有装入多晶硅料的坩锅，在炉体内位于坩锅周边设有与系统控制装置相接的加热体，所述的炉体上方竖直按装有滑道，与滑道相配有齿条，齿条连接有支架，炉体上方设有电机，电机的输出轴安装有齿轮，齿轮与所述的齿条相啮合，支架上通过固定环连接有竖直设置的运动轴，运动轴的下端连接有与系统控制装置相接的加热碳筒。除杂方法如下：向炉体内的坩锅中加入多晶硅料，关闭并抽真空；开始运行程序；温度达到1420-1480℃后保温；长晶阶段；利用加热碳筒局部加热并随液面上升，直至硅料完全长晶；出炉。提高了出成率，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 加热 凝固 多晶 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种局部加热凝固多晶硅除杂装置，包括包括炉体（3），在炉体（3）内下部设有石墨底座（4），在石墨底座（4）上配有装入多晶硅料的坩锅（2），在炉体（3）内位于坩锅（2）周边设有与系统控制装置相接的加热体（1），其特征在于：所述的炉体（3）上方竖直按装有滑道，与滑道相配有齿条（12），齿条（12）连接有支架（14），炉体（3）上方设有电机（10），电机（10）的输出轴安装有齿轮（11），齿轮（11）与所述的齿条（12）相啮合，支架（14）上通过固定环（13）连接有竖直设置的运动轴（8），运动轴（8）的下端连接有与系统控制装置相接的加热碳筒（7）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410339759.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
