[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410339812.9 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN105322011A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 许静;闫江;陈邦明;王红丽;唐波;唐兆云;徐烨锋;李春龙;杨萌萌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;逢京喜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有第一半导体材料；第二半导体层，位于衬底之上；第三半导体层，位于第二半导体层之上，为器件形成区域；隔离结构，位于第三半导体层两侧、衬底之上；绝缘层，位于第三半导体层的源漏区域之下、隔离结构与第二半导体层端部之间。本发明的器件结构，同时具有体硅器件和SOI器件的各自优势，具有低成本、漏电小、功耗低、速度快、工艺较为简单且集成度高的特点。同时，与SOI器件相比，消除了浮体效应和自热效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有第一半导体材料；第二半导体层，位于衬底之上；第三半导体层，位于第二半导体层之上，为器件形成区域；隔离结构，位于第三半导体层两侧、衬底之上；绝缘层，位于第三半导体层的源漏区域之下、隔离结构与第二半导体层端部之间。
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