[发明专利]WS2带孔纳米片/石墨烯复合纳米材料及制备方法有效
申请号: | 201410339886.2 | 申请日: | 2014-07-17 |
公开(公告)号: | CN104091932A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 陈卫祥;叶剑波;马琳;王臻 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/139;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 杭州赛科专利代理事务所 33230 | 代理人: | 冯年群 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种WS2带孔纳米片/石墨烯复合纳米材料及其制备方法,其由WS2带孔纳米片与石墨烯复合构成,WS2带孔纳米片是单层或少层数的,WS2与石墨烯之间的物质的量之比为1:1-1:3。其制备方法是首先将氧化石墨烯超声分散在去离子水中,再加入阳离子型柱[5]芳烃超分子,并充分搅拌,然后依次加入L-半胱氨酸和硫代钨酸铵,充分搅拌使其溶解,将上述混合分散体系转移到水热反应釜中,于230-250℃下水热反应20-24h后,自然冷却至室温,离心收集固体产物,洗涤、干燥、热处理获得。本发明的方法具有简单、方便的特点,不需要消耗有机溶剂。 | ||
搜索关键词: | ws sub 纳米 石墨 复合 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种WS2带孔纳米片/石墨烯的复合纳米材料,其特征在于,该复合纳米材料是由WS2带孔纳米片与石墨烯复合构成,所述WS2带孔纳米片是单层或少层数的层状结构,所述WS2带孔纳米片与石墨烯之间的物质的量之比为 1:1‑1:3。
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