[发明专利]具改善阈值电压表现的取代金属栅极的集成电路及其制法

摘要

本发明提供具改善阈值电压表现的取代金属栅极的集成电路及其制法。一种方法包括提供覆于半导体基板上的介电层。该介电层具有第一凹槽和第二凹槽。在该第一凹槽和该第二凹槽中形成栅极介电层。形成覆于该栅极介电层上的第一阻障层。在所述凹槽内形成功函数材料层。将该功函数材料层和该第一阻障层凹陷至该第一凹槽和该第二凹槽中。该功函数材料层和该第一阻障层形成斜表面。将该栅极介电层凹陷至该第一凹槽和该第二凹槽中。沉积导电栅极电极材料，使得该导电栅极电极材料填充该第一凹槽和该第二凹槽。将该导电栅极电极材料凹陷至该第一凹槽和该第二凹槽中。

主权项

一种制造集成电路的方法，该方法包括：提供覆于半导体基板上的块体介电层，该块体介电层具有第一凹槽和第二凹槽；在该第一凹槽和该第二凹槽中形成栅极介电层；形成覆于该栅极介电层上的第一阻障层；在该第一凹槽和该第二凹槽内形成功函数材料层；将该功函数材料层和该第一阻障层凹陷至该第一凹槽和该第二凹槽中，其中，该功函数材料层和该第一阻障层相对于该块体介电层的平坦表面形成斜表面；将该栅极介电层凹陷至该第一凹槽和该第二凹槽中；沉积导电栅极电极材料，使得该导电栅极电极材料填充该第一凹槽和该第二凹槽，其中，该导电栅极电极材料覆盖且接触该功函数材料层和该第一阻障层形成的斜表面；以及将该导电栅极电极材料凹陷至该第一凹槽和该第二凹槽中。