[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201410340346.6 | 申请日: | 2014-07-16 |
公开(公告)号: | CN104183603B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 刘耀;白金超;李梁梁;丁向前;刘晓伟;郭总杰;陈曦 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可避免形成阻挡层时源漏极间隙尺寸均匀性差,减少阻挡层成本,解决金属缺失信号不导通的问题。该阵列基板包括衬底基板上方的包括栅极、栅线的栅金属层,栅绝缘层,有源层,包括源极、漏极、数据线的源漏金属层,源漏金属层包括铜金属层和/或铜合金层;包括与漏极直接接触的像素电极、与源极直接接触的第一像素电极保留图案、与数据线直接接触的第二像素电极保留图案的像素电极层;像素电极与漏极直接接触的区域、第一像素电极保留图案位于有源层与源漏金属层之间;像素电极未与漏极直接接触的区域、第二像素电极保留图案位于栅绝缘层的上/下方。用于阵列基板的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,包括,形成包括栅极、栅线的栅金属层,栅绝缘层;其特征在于,还包括,形成有源层,包括像素电极、第一像素电极保留图案、第二像素电极保留图案的像素电极层,以及包括源极、漏极、数据线的源漏金属层;其中,所述像素电极与所述漏极直接接触,所述第一像素电极保留图案与所述源极直接接触,所述第二像素电极保留图案与所述数据线直接接触;所述像素电极与所述漏极直接接触的区域、所述第一像素电极保留图案均形成于所述有源层与所述源漏金属层之间;所述像素电极未与所述漏极直接接触的区域、所述第二像素电极保留图案均形成于所述栅绝缘层的上方/下方;所述源漏金属层采用铜和/或铜合金材料制备;其中,针对所述有源层采用非晶硅材料制备的情况,所述形成有源层,包括像素电极、第一像素电极保留图案、第二像素电极保留图案的像素电极层,以及包括源极、漏极、数据线的源漏金属层,包括,形成非晶硅有源层,欧姆接触层,包括像素电极、第一像素电极保留图案、第二像素电极保留图案的像素电极层,以及包括源极、漏极、数据线的源漏金属层;其中,所述欧姆接触层形成于所述非晶硅有源层与所述像素电极层之间,且所述欧姆接触层露出所述源极与所述漏极之间的间隙对应的区域;所述欧姆接触层与所述像素电极层直接接触;其中,所述形成非晶硅有源层,欧姆接触层,包括像素电极、第一像素电极保留图案、第二像素电极保留图案的像素电极层,以及包括源极、漏极、数据线的源漏金属层;其中,所述欧姆接触层形成于所述非晶硅有源层与所述像素电极层之间,且所述欧姆接触层露出所述源极与所述漏极之间的间隙对应的区域;所述欧姆接触层与所述像素电极层直接接触,具体包括,采用构图工艺,在形成有所述栅金属层,所述栅绝缘层的基板上依次形成非晶硅有源层,欧姆接触层;其中,所述欧姆接触层露出待形成的源极与漏极之间的间隙对应的所述非晶硅有源层的区域;采用构图工艺,在形成有所述欧姆接触层的基板上形成包括像素电极、第一像素电极保留图案、第二像素电极保留图案的像素电极层;其中,所述像素电极的部分对应于待形成的漏极的区域,所述第一像素电极保留图案对应于待形成的源极的区域,所述第二像素电极保留图案对应于待形成的数据线的区域;采用构图工艺,在形成有所述像素电极层的基板上形成包括源极、漏极、数据线的源漏金属层;其中,所述漏极与所述像素电极的部分直接接触,所述源极与所述第一像素电极保留图案直接接触,所述数据线与所述第二像素电极保留图案直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的