[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201410340346.6 申请日: 2014-07-16
公开(公告)号: CN104183603B 公开(公告)日: 2017-01-25
发明(设计)人: 刘耀;白金超;李梁梁;丁向前;刘晓伟;郭总杰;陈曦 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可避免形成阻挡层时源漏极间隙尺寸均匀性差,减少阻挡层成本,解决金属缺失信号不导通的问题。该阵列基板包括衬底基板上方的包括栅极、栅线的栅金属层,栅绝缘层,有源层,包括源极、漏极、数据线的源漏金属层,源漏金属层包括铜金属层和/或铜合金层;包括与漏极直接接触的像素电极、与源极直接接触的第一像素电极保留图案、与数据线直接接触的第二像素电极保留图案的像素电极层;像素电极与漏极直接接触的区域、第一像素电极保留图案位于有源层与源漏金属层之间;像素电极未与漏极直接接触的区域、第二像素电极保留图案位于栅绝缘层的上/下方。用于阵列基板的制备。
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,包括,形成包括栅极、栅线的栅金属层,栅绝缘层;其特征在于,还包括,形成有源层,包括像素电极、第一像素电极保留图案、第二像素电极保留图案的像素电极层,以及包括源极、漏极、数据线的源漏金属层;其中,所述像素电极与所述漏极直接接触,所述第一像素电极保留图案与所述源极直接接触,所述第二像素电极保留图案与所述数据线直接接触;所述像素电极与所述漏极直接接触的区域、所述第一像素电极保留图案均形成于所述有源层与所述源漏金属层之间;所述像素电极未与所述漏极直接接触的区域、所述第二像素电极保留图案均形成于所述栅绝缘层的上方/下方;所述源漏金属层采用铜和/或铜合金材料制备;其中,针对所述有源层采用非晶硅材料制备的情况,所述形成有源层,包括像素电极、第一像素电极保留图案、第二像素电极保留图案的像素电极层,以及包括源极、漏极、数据线的源漏金属层,包括,形成非晶硅有源层,欧姆接触层,包括像素电极、第一像素电极保留图案、第二像素电极保留图案的像素电极层,以及包括源极、漏极、数据线的源漏金属层;其中,所述欧姆接触层形成于所述非晶硅有源层与所述像素电极层之间,且所述欧姆接触层露出所述源极与所述漏极之间的间隙对应的区域;所述欧姆接触层与所述像素电极层直接接触;其中,所述形成非晶硅有源层,欧姆接触层,包括像素电极、第一像素电极保留图案、第二像素电极保留图案的像素电极层,以及包括源极、漏极、数据线的源漏金属层;其中,所述欧姆接触层形成于所述非晶硅有源层与所述像素电极层之间,且所述欧姆接触层露出所述源极与所述漏极之间的间隙对应的区域;所述欧姆接触层与所述像素电极层直接接触,具体包括,采用构图工艺,在形成有所述栅金属层,所述栅绝缘层的基板上依次形成非晶硅有源层,欧姆接触层;其中,所述欧姆接触层露出待形成的源极与漏极之间的间隙对应的所述非晶硅有源层的区域;采用构图工艺,在形成有所述欧姆接触层的基板上形成包括像素电极、第一像素电极保留图案、第二像素电极保留图案的像素电极层;其中,所述像素电极的部分对应于待形成的漏极的区域,所述第一像素电极保留图案对应于待形成的源极的区域,所述第二像素电极保留图案对应于待形成的数据线的区域;采用构图工艺,在形成有所述像素电极层的基板上形成包括源极、漏极、数据线的源漏金属层;其中,所述漏极与所述像素电极的部分直接接触,所述源极与所述第一像素电极保留图案直接接触,所述数据线与所述第二像素电极保留图案直接接触。
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