[发明专利]基片集成波导结构的双通带差分滤波器

摘要

本发明提供一种具有较高的共模抑制、带间隔离度以及可控中心频率的基片集成波导结构的双通带差分滤波器，其包括介质基板、上表面金属层和下表面金属层，介质基板上有贯穿于介质基板的金属化通孔阵列，金属化通孔阵列、上表面金属层与下表面金属层围成了6个基片集成波导腔体。其中，两个差分通带的中心的频率可以通过调整腔体尺寸参数大小来获得。本发明一方面采用基片集成波导技术，利用基片集成波导高次模式来得到第二差模带通。另一方面，在介质基板的上表面金属的特定位置刻蚀四个扰动槽线。通过调整扰动槽线的位置或尺寸，可以提高共模抑制。

主权项

1.一种基片集成波导结构的双通带差分滤波器，其特征在于，包括介质基板（6）以及设置在介质基板（6）表面的上表面金属层（1）和下表面金属层（7），介质基板（6）具有一水平轴线（L1）和垂直轴线（L2），水平轴线（L1）与信号的传输方向相同，其中：所述介质基板（6）、上表面金属层（1）和下表面金属层（7）上形成有多个贯穿的金属化通孔（2），金属化通孔（2）在上表面金属层（1）和下表面金属层（7）表面形成通孔阵列，所述通孔阵列、上表面金属层（1）与下表面金属层（7）围包形成基片集成波导的六个腔体，分别为第一腔体（31）、第二腔体（32）、第三腔体（33）、第四腔体（34）、第五腔体（35）及第六腔体（36），其中：第一腔体（31）与第二腔体（32）关于水平轴线（L1）对称，第五腔体（35）与第六腔体（36）关于水平轴线（L1）对称，第三腔体（33）与第四腔体（34）设置在介质基板（6）的中央并关于垂直轴线（L2）对称，第一腔体（31）与第二腔体（32）分布在第三腔体（33）与第四腔体（34）的的一侧，第五腔体（35）与第六腔体（36）分布在第三腔体（33）与第四腔体（34）的另一侧；所述第一腔体（31）、第二腔体（32）、第五腔体（35）及第六腔体（36）均为具有第一面积（M1）的四方形腔体结构，第三腔体（33）、第四腔体（34）均为具有第二面积（M2）的四方形腔体结构，每个腔体的沿水平轴线方向的侧边具有相同的长度，且前述第一面积（M1）为第二面积（M2）的两倍；所述第三腔体（33）内设置有第一扰动槽线（41）、第二扰动槽线（42），第四腔体（34）内设置有第三扰动槽线（43）、第四扰动槽线（44），第一扰动槽线（41）、第二扰动槽线（42）与第三扰动槽线（43）、第四扰动槽线（44）关于垂直轴线（L2）对称分布，第一扰动槽线（41）、第二扰动槽线（42）、第三扰动槽线（43）、第四扰动槽线（44）的结构相同；所述四个扰动槽线（41、42、43、44）的长度相等，第一扰动槽线（41）与第四扰动槽线（44）关于垂直轴线（L2）对称，第二扰动槽线（42）与第三扰动槽线（43）关于垂直轴线（L2）对称，四个扰动槽线（41、42、43、44）均关于水平轴线（L1）对称，且相互平行；所述第一腔体（31）与第二腔体（32）分别与第三腔体（33）相连并在连接部位形成有第一耦合窗口，第五腔体（35）与第六腔体（36）分别与第四腔体（34）相连并在连接部位形成有第二耦合窗口，第三腔体（33）与第四腔体（34）的连接部位形成有第三耦合窗口；在第一、二、五、六腔体内临近上表面金属层（1）、下表面金属层（7）边缘的位置分别插入一条馈线，形成第一馈线（51）、第二馈线（52）、第三馈线（53）及第四馈线（54）。