[发明专利]封装集成电路的方法和具有非功能性占位块的模压衬底有效
| 申请号： | 201410340688.8 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104299918B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | T.基尔格;D.迈尔;U.瓦赫特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 蒋骏,马永利 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 封装集成电路的方法和具有非功能性占位块的模压衬底。封装集成电路的方法包括提供包括彼此横向间隔开并被模塑料覆盖的第一多个功能性半导体管芯和多个占位块的模压衬底。使模塑料变薄以暴露占位块中的至少一些。移除所暴露的占位块以在模压衬底中形成空腔。将第二多个功能性半导体管芯插入在模压衬底中形成的空腔中。在未被模塑料覆盖的管芯的侧面处形成到第一多个功能性半导体管芯和第二多个功能性半导体管芯的电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 集成电路 方法 具有 功能 占位 模压 衬底 | ||
【主权项】：
一种封装集成电路的方法，所述方法包括：提供包括彼此横向间隔开并被模塑料覆盖的第一多个功能性半导体管芯和多个占位块的模压衬底；使所述模塑料变薄以暴露所述占位块中的至少一些；移除所暴露的占位块以在所述模压衬底中形成空腔；将第二多个功能性半导体管芯插入在所述模压衬底中形成的所述空腔中；以及在未被所述模塑料覆盖的所述管芯的侧面处形成到所述第一多个功能性半导体管芯和第二多个功能性半导体管芯的电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
