[发明专利]抗泄漏的RRAM/MIM结构

摘要

本发明提供了一种集成电路器件，该集成电路器件包括具有介电层、顶部导电层和底部导电层的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元或MIM电容器单元。介电层包括邻近介电层的边缘的外围区域和被外围区域围绕的中心区域。顶部导电层邻近介电层并且位于介电层之上。底部导电层邻近中心区域中的介电层并且位于中心区域中的介电层的下方，但不邻近单元的外围区域中的介电层。通过位于仅处于外围区域中的介电层和底部导电层之间的额外的介电层或通过切除外围区域中的底电极层使底电极层位于外围区域以外，可防止发生邻近。介电层的边缘处的损坏或污染不会导致泄漏电流。本发明涉及一种抗泄漏的RRAM/MIM结构。

主权项

1.一种集成电路器件，包括：金属-绝缘体-金属结构，包括介于顶部导电层和底部导电层之间的第一介电层；其中，所述第一介电层包括：外围区域，邻近所述第一介电层的边缘，其中，通过蚀刻已切除所述第一介电层；和中心区域，被所述外围区域围绕；顶部导电层，邻近所述第一介电层的中心区域并且位于所述第一介电层的中心区域的上方；底部导电层，邻近所述第一介电层的中心区域并且位于所述第一介电层的中心区域的下方；扩散阻挡层，位于所述底部导电层的底面的下方并且与所述底面接触，其中，所述扩散阻挡层和所述底部导电层共同构成T形轮廓；以及其中，所述底部导电层不邻近所述第一介电层的外围区域。