[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201410341585.3 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN105023945B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 余宗兴;刘佳雯;徐烨;后藤贤一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括位于半导体复合层中并邻近沟道的有源区域。该有源区域包括具有第一掺杂剂浓度的第一有源区域层、位于第一有源区域层上方并具有第二掺杂剂浓度的第二有源区域层、以及位于第二有源区域层上方并具有第三掺杂剂浓度的第三有源区域层。第三掺杂剂浓度大于第二掺杂剂浓度，并且第二掺杂剂浓度大于第一掺杂剂浓度。该沟道包括位于第一沟道层上方并包含碳的第二沟道层以及位于第二沟道层上方的第三沟道层。相较于不具有有源区域和沟道结构的半导体器件，有源区域结构提高了驱动电流并减小了接触电阻，并且该沟道结构增加了短沟道控制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：有源区域，所述有源区域包括：具有第一掺杂剂浓度的第一有源区域层，所述第一有源区域层包括硅或锗的至少其一，并且所述第一有源区域层内的锗的百分比从所述第一有源区域层的底面向所述第一有源区域层的最底部的顶面增加；具有第二掺杂剂浓度的第二有源区域层，所述第二有源区域层位于所述第一有源区域层上方；以及具有第三掺杂剂浓度的第三有源区域层，所述第三有源区域层位于所述第二有源区域层上方并且在半导体复合层的顶面之上延伸，所述第一有源区域层和所述第二有源区域层形成在所述半导体复合层内，其中，所述第一掺杂剂浓度小于所述第二掺杂剂浓度，并且所述第二掺杂剂浓度小于所述第三掺杂剂浓度。
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