[发明专利]一种可调的非易失性存储器参考单元

摘要

一种可调的非易失性存储器参考单元，由两列串联的RX-NMOS-RX-NMOS结构并联而成，M1、M3被配置成低阻态，M2、M4被配置成高阻态，或者M1、M2被配置成低阻态，M3、M4被配置成高阻态，得到高低阻态存储单元电导或电阻的算数平均值；M1、M2的顶端连接位线BL，NMOS晶体管N3、N4源极连接源极线SL，NMOS晶体管N1、N2栅极连接字线WL；在第一种方案中，NMOS晶体管N3、N4的栅极共同连接可调字线WLA，为粗校准设计；在第二种方案中，NMOS晶体管N3、N4的栅极分别连接可调字线WLA1和可调字线WLA2，为精校准设计。本发明使信号接近最佳值，增大判决裕量，提高读取可靠性。

主权项

一种可调的非易失性存储器参考单元，其特征在于：它由两列串联的RX‑NMOS‑RX‑NMOS结构并联而成，其中非易失性存储器件M1、M3被配置成低阻态，非易失性存储器件M2、M4被配置成高阻态，或者非易失性存储器件M1、M2被配置成低阻态，非易失性存储器件M3、M4被配置成高阻态，由此得到高低阻态存储单元电导或电阻的算数平均值；非易失性存储器件M1、M2的顶端连接位线BL，NMOS晶体管N3、N4源极连接源极线SL，NMOS晶体管N1、N2的栅极连接字线WL；在第一种设计方案中，NMOS晶体管N3、N4的栅极共同连接可调字线WLA，为粗校准设计；在第二种设计方案中，NMOS晶体管N3、N4的栅极分别连接可调字线WLA1和可调字线WLA2，为精校准设计；该参考单元中的NMOS晶体管N1和N2的栅极接字线WL，字线为低电平时，NMOS晶体管N1和N2处于断开状态，参考单元不可访问；当字线为高电平时且可调字线WLA或WLA1、WLA2为高电平时，NMOS晶体管处于导通状态，参考单元可访问并且可校准；在粗校准设计中，可调字线WLA提供包括Vdd在内的多种电压值，通过同时改变NMOS晶体管N3、N4的栅极电压而改变其电阻值，进而改变整个参考单元的电阻和电导值；在精校准设计中，可调字线WLA1和可调字线WLA2均提供包括Vdd在内的多种电压值，WLA1和WLA2有多种组合，每一组合都对应参考单元的一种电阻和电导值。