[发明专利]基于真时延器件的相控阵天线宽带抗干扰方法无效

专利信息
申请号: 201410342217.0 申请日: 2014-07-17
公开(公告)号: CN104122535A 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 谢欢欢;王拓;王耀召;刘卫强;上官红革 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十研究所
主分类号: G01S7/36 分类号: G01S7/36
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 陈星
地址: 710068 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提出一种基于真时延器件的相控阵天线宽带抗干扰方法,将处于相控阵天线阵列边缘的天线单元接负载,其余天线单元接射频组件,并将其余天线单元划分为若干个子阵,每个子阵后接一个真时延器件,采用上述相控阵天线阵列进行单元方向图测试,得到单元电场方向图Eelement(θ),并将该单元电场方向图代入阵列低副瓣设计过程。本发明解决了普通相控阵低副瓣技术精度不高,波束指向随频率变化偏差较大的问题。通过在阵列边缘单元接负载、子阵级层面上增加真时延器件,提高了相控阵天线的宽带抗干扰能力。该发明同时能提高相控阵天线的瞬时信号带宽,提升相控阵雷达战场的生存能力。
搜索关键词: 基于 真时延 器件 相控阵 天线 宽带 抗干扰 方法
【主权项】:
一种基于真时延器件的相控阵天线宽带抗干扰方法,其特征在于:采用以下步骤:步骤1:将处于相控阵天线阵列边缘的天线单元接负载,其余天线单元接射频组件;步骤2:将其余天线单元划分为若干个子阵,每个子阵后接一个真时延器件;步骤3:采用步骤1中的相控阵天线阵列进行单元方向图测试,得到单元电场方向图Eelement(θ),并将该单元电场方向图代入阵列低副瓣设计过程。
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