[发明专利]一种低频宽带多路同轴空间功率分配合成器及方法有效

专利信息
申请号: 201410342226.X 申请日: 2014-07-18
公开(公告)号: CN104134843A 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 朴智棋;宁曰民;姜万顺;刘金现;朱伟峰 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十一研究所
主分类号: H01P5/12 分类号: H01P5/12
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 王连君
地址: 266555 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种低频宽带多路同轴空间功率分配合成器及方法。功率分配/合成器包括一个直通同轴波导和一个扩展同轴波导,直通同轴波导内部设有第一内导体,扩展同轴波导内部设有第二内导体;在直通同轴波导上开设有第一50Ω标准同轴端口;第一内导体采用台阶式多级阻抗变换结构;在扩展同轴波导处沿径向等间隔分割出多路分支波导;每路分支波导内部设有一个第三内导体,第三内导体采用台阶式多级阻抗变换结构;在第二内导体上设有环绕第二内导体一周的环形连接导体,每个第三内导体对应的连接在环形连接导体的一个圆周面等分点上;在每路分支波导上开设有一个第二50Ω标准同轴端口。本发明具有合成路数增多、合成效率高、工作频带宽、低损耗等优点。
搜索关键词: 一种 低频 宽带 同轴 空间 功率 分配 合成器 方法
【主权项】:
一种低频宽带多路同轴空间功率分配/合成器,包括一个直通同轴波导和一个扩展同轴波导,直通同轴波导内部设有第一内导体,扩展同轴波导内部设有第二内导体,第一内导体与第二内导体连接;在直通同轴波导上开设有第一50Ω标准同轴端口;其特征在于,第一内导体采用台阶式多级阻抗变换结构;在扩展同轴波导处沿径向等间隔分割出多路分支波导;每路分支波导内部设有一个第三内导体,第三内导体采用台阶式多级阻抗变换结构;在第二内导体上设有环绕所述第二内导体一周的环形连接导体,每个第三内导体对应的连接在环形连接导体的一个圆周面等分点上;在每路分支波导上开设有一个第二50Ω标准同轴端口。
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