[发明专利]一种像素结构及其制造方法、显示基板和显示装置在审
申请号: | 201410342576.6 | 申请日: | 2014-07-17 |
公开(公告)号: | CN104155817A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 王骁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种像素结构及其制造方法、显示基板和显示装置,所述像素结构包括多个栅线和多个数据线,所述栅线和所述数据线交叉限定出像素单元,所述像素单元包括公共电极、多个像素子电极和与所述像素子电极对应的薄膜晶体管,所述像素子电极和所述薄膜晶体管电连接,所述像素子电极和所述公共电极之间形成存储电容。本发明提供的像素结构及其制造方法、显示基板和显示装置中,所述像素单元包括多个像素子电极和多个薄膜晶体管,每个薄膜晶体管为与所述薄膜晶体管对应的像素子电极充电,而所述像素子电极与公共电极之间形成的存储电容尺寸较小,能够保证所述像素子电极具有足够的充电率,从而提升显示画面的品质。 | ||
搜索关键词: | 一种 像素 结构 及其 制造 方法 显示 显示装置 | ||
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于,包括多个栅线和多个数据线,所述栅线和所述数据线交叉限定出像素单元,所述像素单元包括公共电极、多个像素子电极和与所述像素子电极对应的薄膜晶体管,所述像素子电极和所述薄膜晶体管电连接,所述像素子电极和所述公共电极之间形成存储电容。
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