[发明专利]生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法在审
| 申请号： | 201410342668.4 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104134727A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊;周仕忠;钱慧荣 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在Zr衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱；所述GaN缓冲层为在500～700℃生长的GaN缓冲层；所述非掺杂GaN层为在600～800℃生长的非掺杂GaN层；所述InGaN/GaN多量子阱为在700～800℃生长的InGaN/GaN量子阱。本发明还公开了上述生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱的制备方法。本发明的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好、光电性能好，生长工艺简单，制备成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 zr 衬底 ingan gan 多量 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，包括生长在Zr衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱；所述GaN缓冲层为在500～700℃生长的GaN缓冲层；所述非掺杂GaN层为在600～800℃生长的非掺杂GaN层；所述InGaN/GaN多量子阱为在700～800℃生长的InGaN/GaN量子阱。
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