[发明专利]一种多级氧化铟锡纳米线阵列复合材料及其制备方法与在太阳能电池中的应用在审
| 申请号： | 201410342969.7 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104143444A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 胡劲松;姜岩;宋卫国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多级氧化铟锡纳米线阵列复合材料的制备方法与在太阳能电池中的应用。多级氧化铟锡纳米线阵列复合材料包括生长在导电基底上的包裹有Cu2S壳层的多级氧化铟锡纳米线阵列。该制备方法步骤如下：(1)以金纳米颗粒为催化剂，通过化学气相沉积法，在导电基底上按级数依次沉积生长氧化铟锡纳米线；(2)通过1)-3)中任一方法在纳米线阵列上包覆Cu2S壳层：1)化学浴沉积法，包覆CdS壳层；然后用离子交换法，将CdS壳层转化成Cu2S壳层；2)连续离子层吸附法包覆；3)磁控溅射法包覆；(3)在惰性气氛下，经煅烧即得。本发明制备的Cu2S@ITO-X纳米线阵列作为对电极材料，其组装的太阳能电池性能明显优于贵金属Pt或Au及过渡金属硫属化合物作为对电极材料的太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多级 氧化 纳米 阵列 复合材料 及其 制备 方法 太阳能电池 中的 应用 | ||
【主权项】：
一种多级氧化铟锡纳米线阵列复合材料，其包括生长在导电基底上的多级氧化铟锡纳米线阵列，所述多级氧化铟锡纳米线阵列上包裹有硫化亚铜壳层。
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