[发明专利]一种温度计码到n位二进制码的并行转换装置及转换方法有效

专利信息
申请号: 201410343215.3 申请日: 2014-07-17
公开(公告)号: CN104158547B 公开(公告)日: 2017-04-19
发明(设计)人: 张博;陈鑫;黄辉;周江燕;陈荣涛;张婉桥;夏欢;胡薇;陈强;段倩妮 申请(专利权)人: 南京航空航天大学
主分类号: H03M7/04 分类号: H03M7/04
代理公司: 江苏圣典律师事务所32237 代理人: 贺翔
地址: 210016 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种温度计码到n位二进制码的并行转换装置及转换方法,该转换装置包含1个n级宏单元、1个n‑1级宏单元、…、1个2级宏单元。应用该转换装置实现的温度计码到n位二进制码转换的逻辑深度为1,最大负载为n‑1个NMOS。同时,本发明公开了一种并行温度计码到n位二进制码转换的方法,该方法选取与相应二进制位变化相关的温度计码实现转码;本发明在版图布局时所需MOS管数很少,布局简单。
搜索关键词: 一种 温度计 二进制码 并行 转换 装置 方法
【主权项】:
一种温度计码到n位二进制码的并行转换装置,其特征在于:当n等于2时,包含1个2级宏单元、1个高位输入端口、1个高位输出端口;当n等于3时,包含1个2级宏单元、1个3级宏单元、1个高位输入端口、1个高位输出端口;当n为大于3的整数时,包含1个2级宏单元、1个3级宏单元、…、1个n级宏单元、1个高位输入端口、1个高位输出端口;所述高位输入端口与所述高位输出端口相连;当n为大于等于2的整数时,对于每个大于等于2且小于等于n的整数m,m级宏单元包含2m‑1个输入端口、1个输出端口、1个PMOS、1个单独NMOS、2m‑1‑1个并联的NMOS组和1个单独反相器,其中:PMOS栅极接GND、源极接工作电压、漏极与单独反相器的输入端相连;单独反相器的输出端与所述输出端口相连;单独NMOS源极接GND、漏极接PMOS的漏极、栅极作为所述m级宏单元的一个输入端口;NMOS组包含两个NMOS和一个反相器,其中一个NMOS的漏极接PMOS的漏极、栅极接反相器的输出端、源极与另一个NMOS的漏极相连,所述另一个NMOS的源极接GND、栅极作为所述m级宏单元的一个输入端口,所述反相器的输入端作为所述m级宏单元的一个输入端口;所述2m‑1‑1个并联的NMOS组中,对于每个大于等于1且小于等于2m‑1‑1的整数i,由单独反相器至PMOS方向,第i个NMOS组中与NMOS栅极相连的输入端口用于输入第(2i‑1)*2m‑1位温度计码、与反相器的输入端相连的输入端口用于输入第(2i)*2m‑1位温度计码;所述与单独NMOS栅极相连的输入端口用于输入第(2n+1‑m‑1)*2m‑1位温度计码;所述高位输入端口用于输入第2n‑1位温度计码。
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