[发明专利]多处理区域等离子体处理装置及等离子体工艺监测方法

摘要

本发明公开了一种多处理区域的等离子体处理装置，其包括多个处理区域，每一个处理区域对一个半导体基片进行等离子体处理，其包括监测单元与数据处理单元。监测单元监测其所处处理区域内的至少一个工艺参数或其相关信号；数据处理单元用于在其所处处理区域未发生工艺状态变化但至少一个其他处理区域发生工艺状态变化时发送修正数据至监测单元以对应替换将由该监测单元监测的相同数据长度的工艺参数或其相关信号。本发明还提供了一种相应的等离子体工艺监测方法。本发明能够消除不同处理区域工艺状态的变化对监测数据所造成的干扰。

主权项

一种多处理区域的等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理腔室，其包括多个处理区域，每一所述处理区域配置有一射频源并对一个半导体基片进行等离子体处理；进排气系统，其包括与所述多个处理区域连通的共享进气单元和共享排气单元；以及触发单元；其中，每一所述处理区域包括相连的一监测单元与一数据处理单元；所述监测单元用于监测该处理区域内的至少一个工艺参数或其相关信号；所述触发单元与各所述数据处理单元相连，用于在判断至少一个所述处理区域内的工艺状态发生变化时发出触发信号至工艺状态未发生变化的处理区域的数据处理单元；所述工艺状态未发生变化的处理区域的数据处理单元用于在接收所述触发信号时发送修正数据至与所述工艺状态未发生变化的处理区域的数据处理单元相连的监测单元以对应替换将由该与所述工艺状态未发生变化的处理区域的数据处理单元相连的监测单元监测的相同数据长度的工艺参数或其相关信号，以消除工艺状态发生变化的处理区域内的工艺状态的变化对所述工艺状态未发生变化的处理区域的监测单元所监测的工艺参数或其相关信号的干扰。