[发明专利]三维存储器装置及其数据擦除方法有效
| 申请号： | 201410344347.8 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN105321568B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 徐子轩;吕函庭;吴承润 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维存储器装置的数据擦除方法，其中三维存储器装置包括多条字线以及多条半导体通道，这些半导体通道与这些字线交叉设置以形成多个存储单元，该数据擦除方法包括以下步骤：首先，在擦除操作的第一阶段，施加第一电压至这些半导体通道的第一半导体通道以擦除定义于第一半导体通道的这些存储单元所储存的数据，并施加第二电压至这些半导体通道的第二半导体通道，第二半导体通道是邻近于第一半导体通道。接着，在擦除操作的第二阶段，施加第二电压至第一半导体通道，并施加第一电压至第二半导体通道。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 装置 及其 数据 擦除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器装置的数据擦除方法，其中该三维存储器装置包括多条字线以及多条半导体通道，这些半导体通道与这些字线交叉设置以形成多个存储单元，该数据擦除方法包括：在一擦除操作的一第一阶段，施加一第一电压至这些半导体通道的一第一半导体通道以擦除定义于该第一半导体通道的这些存储单元所储存的数据，并施加一第二电压至这些半导体通道的一第二半导体通道，该第二半导体通道邻近于该第一半导体通道；以及在该擦除操作的一第二阶段，施加该第二电压至该第一半导体通道，并施加该第一电压至该第二半导体通道；其中，该第一电压的电平相异于该第二电压的电平，该第一电压与该第二电压电性相反。
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